拉扎維教授編著的《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)》一書出版于2001年。由于其內(nèi)容編排合理，講述方式由淺入深，注重電路直觀分析能力的培養(yǎng)，并安排了大量的例題及課后習(xí)題，該書一經(jīng)面世，即在世界范圍內(nèi)引起了強(qiáng)烈反響，迅速被國內(nèi)外各大高校采用為微電子、電子工程等專業(yè)的本科生或研究生教材，成為與P.R.Gray等編著的Analysis and Design of Analog Integrated Circuits齊名的模擬集成電路經(jīng)典教材。但是，從2001年至今，CMOS工藝已經(jīng)發(fā)生了巨大變化，晶體管特征尺寸不斷縮小，導(dǎo)致衡量晶體管性能的電路參數(shù)（跨導(dǎo)效率、特征頻率和本征增益）發(fā)生了很大變化，加之電源電壓不斷下降導(dǎo)致傳統(tǒng)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的應(yīng)用受到限制，期間也出現(xiàn)了新的模擬集成電路分析與設(shè)計(jì)方法，以上的這些因素都要求對原來的教材內(nèi)容進(jìn)行改寫。本書第二版正是在此背景下編寫的。該版在保留*版編寫特色的前提下，大幅增加了電路設(shè)計(jì)的敘述篇幅，如第11章專門討論了納米CMOS工藝下的電路設(shè)計(jì)策略和循序漸進(jìn)的運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)方法，有利于培養(yǎng)讀者的電路設(shè)計(jì)能力。該版本還引入了波特圖和MiddleBrook分析法來分析反饋網(wǎng)絡(luò)的特性，增加了奈奎斯特穩(wěn)定性判據(jù)、鰭式晶體管（FinFET）、新偏置電路技術(shù)及低壓能隙基準(zhǔn)源等內(nèi)容，有利于讀者跟蹤*的模擬集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)。該版本還增加了很多新的例題，并更新了課后習(xí)題。我相信改版后的這本教材更加適合于現(xiàn)階段相關(guān)專業(yè)本科生和研究生課程教學(xué)的需要，也適合作為一線工作的集成電路設(shè)計(jì)工程師的常用參數(shù)書。由McGraw-Hill出版社出版的《模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)（第2版）》共包含19章內(nèi)容。清華大學(xué)出版社在引進(jìn)影印版本時(shí)，根據(jù)國內(nèi)教育教學(xué)情況進(jìn)行了刪減：（1）考慮到振蕩器和鎖相環(huán)屬于高頻電路內(nèi)容，專門的通信電路或射頻電路教材均會對其進(jìn)行詳細(xì)介紹，將原版本中的第15章“振蕩器”和第16章“鎖相環(huán)”相關(guān)內(nèi)容刪除；（2）考慮到國內(nèi)相關(guān)專業(yè)普遍開設(shè)了專門的“半導(dǎo)體器件物理”“集成電路工藝”等課程，將原版本中的第16章“MOS器件與模型”和第17章“CMOS制造工藝”相關(guān)內(nèi)容刪除。
廣泛采用的模擬電路設(shè)計(jì)教材（第2版）“模擬ＣＭＯＳ集成電路設(shè)計(jì)”提供了模擬ＣＭＯＳ集成電路分析與設(shè)計(jì)的新視角。這本教材既強(qiáng)調(diào)基本原理，也強(qiáng)調(diào)對現(xiàn)代模擬電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要的新范式。拉扎維教授用清晰而又直觀的語言讓讀者逐漸理解模擬和混合信號集成電路中的重要概念。拉扎維教授編著的這本教材提供了許多新的內(nèi)容來增強(qiáng)讀者的學(xué)習(xí)體驗(yàn)：? 鰭式晶體管；? 增加了一章來討論低壓納米CMOS電路設(shè)計(jì)；? 增加了邊欄突出納米CMOS電路設(shè)計(jì)的重要知識點(diǎn)；? 基于波特圖和Middlebrook技術(shù)的反饋系統(tǒng)分析；? 增加了奈奎斯特穩(wěn)定性判據(jù)及其應(yīng)用的章節(jié)；? 低壓能隙基準(zhǔn)源；? 100多個(gè)新的例題。
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