本書介紹了電力半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、原理、特性、設(shè)計、制造工藝、可靠性與失效機(jī)理、應(yīng)用共性技術(shù)及數(shù)值模擬方法。內(nèi)容涉及功率二極管、晶閘管及其集成器件（包括gto、igct、eto及mto）、功率mosfet、絕緣柵雙極型晶體管(igbt)以及電力半導(dǎo)體器件的功率集成技術(shù)、結(jié)終端技術(shù)、制造技術(shù)、共性應(yīng)用技術(shù)、數(shù)值分析與仿真技術(shù)。重點(diǎn)對功率二極管的快軟恢復(fù)控制、gto的門極硬驅(qū)動、igct的透明陽極和波狀基區(qū)、功率mosfet的超結(jié)及igbt的電子注入增強(qiáng)（ie）等新技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
本書可作為電子科學(xué)與技術(shù)、電力電子與電氣傳動等學(xué)科的本科生、研究生專業(yè)課程的參考書，也可供從事電力半導(dǎo)體器件制造及應(yīng)用的工程技術(shù)人員和有關(guān)科技管理人員參考。
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